K.Sasaki, T.Takada and T.Hata: "Etching Process in Low Temperature Epitaxial Growth of Silicon by ECR Plasma CVD" 4th ISSP. (to be published). (1997)
K.Sasaki, T.Takada and T.Hata: "Etching Process in Low Temperature Epitaxial Growth of Silicon by ECR Plasma CVD" 4th ISSP. (to be published). (1997)
复制标题
K.Sasaki、T.Takada 和 T.Hata：“ECR 等离子体 CVD 硅低温外延生长的蚀刻工艺”第 4 届 ISSP。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
