Suitability of Rare-Earth Oxides for Use in Thin Film Transistors
Suitability of Rare-Earth Oxides for Use in Thin Film Transistors
复制标题
稀土氧化物用于薄膜晶体管的适用性
DOI：
10.1002/pssa.2211040244
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发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
B. Baishya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Singh;B. Baishya
发现稀土氧化物Nd2O3， Er2O3, Sm2O3， Pr6O11和Yb3O2适合用作tft中的栅极绝缘子。即使Pr6O11和Yb2O3的重量比为1:1，也能在CdS和CdSe tft中产生良好的效果。由CdS和CdSe以1:1的质量比混合得到的“混合半导体”tft，以及稀土氧化物作为半导体-绝缘体（S-I）组合也表现出良好的饱和特性，由此可以计算跨导、输出电阻、放大系数和增益带宽积。
Rare-earth oxides Nd2O3, Er2O3, Sm2O3, Pr6O11, and Yb3O2 are found to be suitable for use as the gate insulator in TFTs. Even a 1:1 ratio, by weight, mixed Pr6O11 and Yb2O3 is found to yield good results in CdS and CdSe TFTs. The TFTs having “mixed semiconductor” obtained by mixing CdS and CdSe in the ratio of 1:1 by weight, and the rare-earth oxides as the semiconductor-insulator (S-I) combination also exhibit well saturated characteristics from which transconductance, output resistance, amplification factor, and gain-bandwidth product are calculated.
Es wird gefunden, das Selten-Erd-Oxide Nd2O3, Er2O3, Sm2O3, Pr6O11 und Yb2O2 geeignet sind fur Gate-Isolatoren von TFT. Sogar im Gewichtsverhaltnis 1:1 gemischtes Pr6O11 und Yb2O3 ergibt gute Ergebnisse in CdS- und CdSe-TFT. Die TFT mit einem „Mischhalbleiter”, der durch Mischen von CdS und CdSe im Gewichtsverhaltnis 1:1 hergestellt wird, und die Selten-Erd-Oxide als Halbleiter-Isolator(S-I)-Kombination zeigen gute Sattigungscharakteristiken, aus denen Steilheit, Ausgangswiderstand, Verstarkungsfaktor und Verstarkungsbandbreitenprodukt berechnet werden.