生方 朋章: "反応性イオンエッチングによる多段凹凸構造のSi基板への増幅転写"応用物理学関係連合講演会講演予稿集. 第50回・2. 801-801 (2003)
生方 朋章: "反応性イオンエッチングによる多段凹凸構造のSi基板への増幅転写"応用物理学関係連合講演会講演予稿集. 第50回・2. 801-801 (2003)
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Tomoaki Ubukata：“通过反应离子蚀刻将多级不平坦结构放大转移到硅基板上”应用物理学会讲座会议记录第 50 期 2. 801-801 (2003)。
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