Materials Science-based Device Performance Engineering for Metal Gate High-k CMOS
Materials Science-based Device Performance Engineering for Metal Gate High-k CMOS
复制标题
基于材料科学的金属栅高 k CMOS 器件性能工程
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Hirose
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Toriumi;K.Kita;K.Tomida;Y.Zhao;J.Widiez;T.Nabatame;H.Ota;M.Hirose
