Polarity Inversion of Nitride Semiconductors and Application to Deep-Ultraviolet Photonic Devices

Polarity Inversion of Nitride Semiconductors and Application to Deep-Ultraviolet Photonic Devices
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氮化物半导体的极性反转及其在深紫外光子器件中的应用

DOI：
10.19009/jjacg.47-3-06
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发表时间：
2020
期刊：
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth
影响因子：
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通讯作者：
林 侑介
林 侑介
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
T. Tanaka;T. Yajima;K. Uchida;林 侑介

文献摘要

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