Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties
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DOI：
10.1063/5.0080734
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发表时间：
2022-02
影响因子：
3.2
通讯作者：
Zhenwei Wang;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;T. Kitada;N. Shigekawa;M. Higashiwaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhenwei Wang;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;T. Kitada;N. Shigekawa;M. Higashiwaki
