テクスチャリングプロセスを用いた高規則性半導体ナノホールアレーの形成
テクスチャリングプロセスを用いた高規則性半導体ナノホールアレーの形成
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使用纹理化工艺形成高度有序的半导体纳米孔阵列
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
増田啄哉，柳下 崇，益田秀樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Huihong Liu;Hidetoshi FUJII;増田啄哉，柳下 崇，益田秀樹
