溶融成長法による面方位ハイブリッドGOI構造の創製～Si基板上へのGe(100),(110),(111)混載～
溶融成長法による面方位ハイブリッドGOI構造の創製～Si基板上へのGe(100),(110),(111)混載～
复制标题
通过熔融生长方法创建表面取向混合GOI结构 - 在Si衬底上混合负载Ge(100)、(110)、(111) -
DOI：
--
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
宮尾正信
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
黒澤昌志;佐道泰造;宮尾正信
