Re-examination of subband structure engineering in ultra-short channel MOSFETs under ballistic carrier transport

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DOI：
10.1109/vlsit.2003.1221112
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发表时间：
2003-06
期刊：
2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407)
影响因子：
--
通讯作者：
S. Takagi
S. Takagi
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
S. Takagi

文献摘要

被引文献

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在本文中，我们提出了一种基于全弹道输运状态下子带结构优化的MOS通道工程新设计方法，并提出了理论预测。
In this paper, we proposes a new design methodology of MOS channel engineering based on the optimization of subband structures under full-ballistic transport regime and presents the theoretical predictions.