Gas source molecular epitaxy of Ge1−ySny materials and devices using high order Ge4H10 and Ge5H12 hydrides
Gas source molecular epitaxy of Ge1−ySny materials and devices using high order Ge4H10 and Ge5H12 hydrides
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使用高阶 Ge4H10 和 Ge5H12 氢化物气源分子外延 Ge1−ySny 材料和器件
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Kouvetakis
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chi Xu;Ting;Dhruve A Ringwala;J. Menéndez;J. Kouvetakis
