Enhancement of carrier mobility in metal-oxide semiconductor field-effect transistors using negative thermal expansion gate electrodes
Enhancement of carrier mobility in metal-oxide semiconductor field-effect transistors using negative thermal expansion gate electrodes
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使用负热膨胀栅电极增强金属氧化物半导体场效应晶体管中的载流子迁移率
DOI：
10.35848/1882-0786/ac9d24
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发表时间：
2022
影响因子：
2.3
通讯作者：
Tanaka Tetsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kino Hisashi;Fukushima Takafumi;Tanaka Tetsu
