Low-Threshold-Current and High-Out-Power 660nm Laser Diodes with a P-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R
Low-Threshold-Current and High-Out-Power 660nm Laser Diodes with a P-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R
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适用于 DVD-RAM/R 的具有 P-GaAs 电流阻挡层的低阈值电流和高输出功率 660nm 激光二极管
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Zhang Guang-Ze (张广泽)
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zheng Kai (郑凯);Ma XiaoYu (马骁宇);Lin Tao (林涛);Wang Jun (王俊);Liu Su-Ping (刘素平);Zhang Guang-Ze (张广泽)
