Development of Radiation-tolerant p-type Silicon Microstrip Sensor
Development of Radiation-tolerant p-type Silicon Microstrip Sensor
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耐辐射p型硅微带传感器的研制
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Unno(on behalf of R&D collaboration)
中科院分区：
文献类型：
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作者：
垣本明徳、藤田文行、金子純一;他;赤堀雅幸;Y. Unno(on behalf of R&D collaboration)
