The impact of substrate nitridation temperature and buffer design and synthesis on the polarity of GaN epitaxial films
The impact of substrate nitridation temperature and buffer design and synthesis on the polarity of GaN epitaxial films
复制标题
衬底氮化温度和缓冲液设计合成对GaN外延膜极性的影响
DOI：
10.1016/s0022-0248(03)00953-9
复制
发表时间：
2003
影响因子：
1.8
通讯作者：
G. Bruno
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
G. Namkoong;W. Doolittle;A. Brown;M. Losurdo;M. Giangregorio;G. Bruno
