Slow-trap profiling of NO and N2O nitrided oxides grown on Si and SiC substrates
Slow-trap profiling of NO and N2O nitrided oxides grown on Si and SiC substrates
复制标题
在 Si 和 SiC 衬底上生长的 NO 和 N2O 氮化氧化物的慢陷阱分析
DOI：
10.1016/s0026-2714(99)00022-0
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发表时间：
1999
影响因子：
1.6
通讯作者：
H. B. Harrison
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Dimitrijev;P. Tanner;H. B. Harrison
