Growth and characterization of GaAs films on porous Si
Growth and characterization of GaAs films on porous Si
复制标题
多孔硅上砷化镓薄膜的生长和表征
DOI：
10.1016/0022-0248(89)90362-x
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发表时间：
1989
影响因子：
1.8
通讯作者：
A. Hiraki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Hasegawa;K. Maehashi;H. Nakashima;T. Ito;A. Hiraki
