SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性
SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性
复制标题
SiC MOS器件的界面缺陷和可靠性
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
矢野裕司
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. Zhang;D. Okamoto;T. Hatakeyama;M. Sometani;S. Harada;N. Iwamuro;and H. Yano;Haitao Huang，Daohong Wang，Ting Wu， Nobuyuki Takagi;矢野裕司
