Growth of heavily Ge-doped GAaS by MEE at low temperature
Growth of heavily Ge-doped GAaS by MEE at low temperature
复制标题
低温MEE生长重Ge掺杂GAaS
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Horikoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Chavanapranee;Y. Horikoshi
