M. Yoshimoto: "Increase of leakage current and trap density caused by bias stress in silicon nitride prepared by photo-chemical vapor deposition" Japanese Journal of Applied Physics. 34. L371-L374 (1995)
M. Yoshimoto: "Increase of leakage current and trap density caused by bias stress in silicon nitride prepared by photo-chemical vapor deposition" Japanese Journal of Applied Physics. 34. L371-L374 (1995)
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M. Yoshimoto：“通过光化学气相沉积制备的氮化硅中的偏置应力导致漏电流和陷阱密度增加”，《日本应用物理学杂志》。
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