T.Yamamoto and H.Katayama-Yoshida: "Electronic Structure of p-type GaN Codoped with Be or Mg as the Acceptor and Si or O as the Donor Codopants"Journal of Crystal Growth. 189/190. 532-536 (1998)
T.Yamamoto and H.Katayama-Yoshida: "Electronic Structure of p-type GaN Codoped with Be or Mg as the Acceptor and Si or O as the Donor Codopants"Journal of Crystal Growth. 189/190. 532-536 (1998)
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T.Yamamoto 和 H.Katayama-Yoshida：“以 Be 或 Mg 作为受主、以 Si 或 O 作为施主共掺杂剂共掺杂的 p 型 GaN 的电子结构”晶体生长杂志。
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