MOCVD Epitaxy of Ultrawide Bandgap β-(Al x Ga 1–x ) 2 O 3 with High-Al Composition on (100) β-Ga 2 O 3 Substrates
MOCVD Epitaxy of Ultrawide Bandgap β-(Al x Ga 1–x ) 2 O 3 with High-Al Composition on (100) β-Ga 2 O 3 Substrates
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(100) β-Ga 2 O 3 衬底上高 Al 成分的超宽带隙 β-(Al x Ga 1âx ) 2 O 3 的 MOCVD 外延
DOI：
10.1021/acs.cgd.0c00864
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发表时间：
2020
影响因子：
3.8
通讯作者：
Zhao, Hongping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Anhar Uddin Bhuiyan, A F;Feng, Zixuan;Johnson, Jared M.;Huang, Hsien-Lien;Hwang, Jinwoo;Zhao, Hongping
