Ferroelectricity of 300°C Low Temperature Fabricated HfxZr1－xO2 Thin Films by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition using Hf/Zr Cocktail Precursor
Ferroelectricity of 300°C Low Temperature Fabricated HfxZr1－xO2 Thin Films by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition using Hf/Zr Cocktail Precursor
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使用 Hf/Zr 混合前驱体等离子体增强原子层沉积 300°C 低温制备 HfxZr1－xO2 薄膜的铁电性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Atsushi Ogura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takashi Onaya;Toshihide Nabatame;Yong Chan Jung;Heber Hernandez-Arriaga;Jaidah Mohan;Harrison S. Kim;Ava Khosravi;Naomi Sawamoto;Chang-Yong Nam;Esther H. R. Tsai;Takahiro Nagata;Robert M. Wallace;Jiyoung Kim;and Atsushi Ogura
