Intersubband Transitions in GaNZAl0.5Ga0.5N Quantum Wells on a-Plane and m-Plane GaN Substrates
Intersubband Transitions in GaNZAl0.5Ga0.5N Quantum Wells on a-Plane and m-Plane GaN Substrates
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a 面和 m 面 GaN 衬底上 GaNZAl0.5Ga0.5N 量子阱中的子带间跃迁
DOI：
10.1364/cleo_at.2020.jth2d.17vvv
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jiaming Xu, Morteza Monavarian
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jiaming Xu, Morteza Monavarian
