アモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O中の過剰水素の役割
アモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O中の過剰水素の役割
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过量氢在非晶氧化物半导体In-Ga-Zn-O中的作用
DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
細野秀雄
中科院分区:
文献类型:
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作者:
野村研二;神谷利夫;細野秀雄