Luminescence behavior of semipolar (101¯1) InGaN/GaN "bow-tie" structures on patterned Si substrates
Luminescence behavior of semipolar (101¯1) InGaN/GaN "bow-tie" structures on patterned Si substrates
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图案化 Si 衬底上半极性 (101×1) InGaN/GaN“领结”结构的发光行为
DOI：
10.1063/1.5129049
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发表时间：
2020
影响因子：
3.2
通讯作者：
Bruckbauer J
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bruckbauer J
