Carbon impurity concentrations in BaSnO 3 films grown by molecular beam epitaxy using a tin oxide source

Carbon impurity concentrations in BaSnO 3 films grown by molecular beam epitaxy using a tin oxide source
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使用氧化锡源通过分子束外延生长的 BaSnO 3 薄膜中的碳杂质浓度

DOI:
10.1116/6.0000122
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发表时间:
2020
影响因子:
2.9
通讯作者:
Stemmer, Susanne
Stemmer, Susanne
中科院分区:
材料科学2区
文献类型:
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作者:
Wu, Wangzhou;Combs, Nicholas G.;Mates, Thomas E.;Stemmer, Susanne

文献摘要

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