β -Ga 2 O 3 FinFETs with ultra-low hysteresis by plasma-free metal-assisted chemical etching
β -Ga 2 O 3 FinFETs with ultra-low hysteresis by plasma-free metal-assisted chemical etching
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通过无等离子体金属辅助化学蚀刻实现超低磁滞的β-Ga 2 O 3 FinFET
DOI：
10.1063/5.0096490
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发表时间：
2022
影响因子：
4
通讯作者：
Zhao, Hongping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Huang, Hsien-Chih;Ren, Zhongjie;Anhar Uddin Bhuiyan, A F;Feng, Zixuan;Yang, Zhendong;Luo, Xixi;Huang, Alex Q.;Green, Andrew;Chabak, Kelson;Zhao, Hongping
