ダブルキャップ法におけるInAs量子ドットのGaxInl-xAsセカンドキャップ層依存性
ダブルキャップ法におけるInAs量子ドットのGaxInl-xAsセカンドキャップ層依存性
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双盖法中 InAs 量子点的 GaxInl-xAs 第二盖层依赖性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
下村和彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
赤石昌隆;斉藤泰仁;下村和彦
