Luminescence properties of Er,O-codoped III-V semiconductors grown by organometallic vapor phase epitaxy
Luminescence properties of Er,O-codoped III-V semiconductors grown by organometallic vapor phase epitaxy
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有机金属气相外延生长的Er,O共掺杂III-V族半导体的发光特性
DOI：
10.1016/s0921-4526(99)00645-6
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发表时间：
1999
影响因子：
2.8
通讯作者：
Y. Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Fujiwara;T. Kawamoto;T. Koide;Y. Takeda
