In组分梯度渐变的n-i-p结构InGaN太阳能电池性能研究
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DOI：
10.3788/fgxb20163706.0682
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
陈其工
中科院分区：
文献类型：
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作者：
李明潮;许福军;江明;陈其工
为了优化InGaN太阳能电池结构并有效地指导实际电池的制备,研究了n-i-p（p层在下）In组分梯度渐变结构的InGaN太阳能电池的性能特征。通过APSYS软件模拟计算,对比采用p-i-n渐变结构（p层在上）和n-i-p渐变结构（p层在下）的InGaN太阳能电池的器件性能。结果表明,采用n-i-p渐变结构的InGaN电池,i-InGaN层在低In组分下没有明显的优势,而在高In组分下的器件性能较好。在In组分为0.62时,转换效率最高达到8.48%。分析表明,p层在下的n-i-p渐变结构使得InGaN电池