Interface DipoleConcellation in SiO/High-k/SiO2/SiGate Stacks
Interface DipoleConcellation in SiO/High-k/SiO2/SiGate Stacks
复制标题
SiO/High-k/SiO2/SiGate 堆栈中的界面偶极子纠缠
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Kita and A. Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Hibino;T. Nishimura;K. Nagashio;K.Kita and A. Toriumi
