K.Yamada, K.Tomita and T.Ohmi: "Ultra-Low Contact Resistance Metallization by A Silicidation Technology Employing A Silicon Capping Layr for Protection against Contamination" Digest of Technical Papers, 1994 Symposium on VLSI Technology, Honolulu. June. 6
K.Yamada, K.Tomita and T.Ohmi: "Ultra-Low Contact Resistance Metallization by A Silicidation Technology Employing A Silicon Capping Layr for Protection against Contamination" Digest of Technical Papers, 1994 Symposium on VLSI Technology, Honolulu. June. 6
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K.Yamada、K.Tomita 和 T.Ohmi：“采用硅化技术实现超低接触电阻金属化，采用硅覆盖层防止污染”，技术论文摘要，1994 年 VLSI 技术研讨会，檀香山。
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