Dual-Port Field-Free SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under 55-nm CMOS Technology and 1.2-V Supply Voltage
Dual-Port Field-Free SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under 55-nm CMOS Technology and 1.2-V Supply Voltage
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双端口免现场 SOT-MRAM 在 55 nm CMOS 技术和 1.2V 电源电压下实现 90MHz 读取和 60MHz 写入操作
DOI：
10.1109/vlsicircuits18222.2020.9162774
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hanyu T.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Natsui M.;Tamakoshi A.;Honjo H.;Watanabe T.;Nasuno T.;Zhang C.;Tanigawa T.;Inoue H.;Niwa M.;Yoshiduka T.;Noguchi Y.;Yasuhira M.;Ma Y.;Shen H.;Fukami S.;Sato H.;Ikeda S.;Ohno H.;Endoh T.;Hanyu T.
我们展示了一种SOT-MRAM，这是一种使用自旋轨道扭矩(SOT)器件的非易失性存储器，具有无读干扰特性。采用55 nm工艺制作的SOT-MRAM在无磁场条件下，在1.2V的电源电压下实现了60 MHz的写入和90 MHz的读取。SOT-MRAM还利用器件的三端结构实现了双端口配置，实现了适用于高速应用的宽带宽。
We demonstrate an SOT-MRAM, a nonvolatile memory using spin-orbit-torque (SOT) devices that have a read-disturbance-free characteristic. The SOT-MRAM fabricated by a 55-nm CMOS process achieves 60-MHz write and 90-MHz read operations with 1.2-V supply voltage under a magnetic-field-free condition. The SOT-MRAM is also implemented in a dual-port configuration utilizing three-terminal structure of the device, which realizes a wide bandwidth applicable to high-speed applications.