Study of the ohmic contacts of n-type InP in InGaAs mesa detectors
Study of the ohmic contacts of n-type InP in InGaAs mesa detectors
复制标题
InGaAs台面探测器中n型InP欧姆接触的研究
DOI：
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发表时间：
2009
影响因子：
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通讯作者：
Li, Xue
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wang, Yang;Gong, Haimei;Tang, Hengjing;Li, Xue
