Impact of Phosphorus Doping to Multiply-Stacking Si Quantum Dots on Electron Emission Properties
Impact of Phosphorus Doping to Multiply-Stacking Si Quantum Dots on Electron Emission Properties
复制标题
多重堆叠硅量子点磷掺杂对电子发射性能的影响
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Miyazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Takeuchi;K. Makihara;A. Ohta;M. Ikeda;S. Miyazaki
