Simulation of breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs with double passivation layers
Simulation of breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs with double passivation layers
复制标题
具有双钝化层的 AlGaN/GaN HEMT 击穿电压增强仿真
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Horio and H. Hanawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
遠藤 勇輝;原田 義彬;竹内 淳;岩木 拓也;町田 龍人;藤代 博記;K. Horio and H. Hanawa
