Buried - channel field effect transistors of triple SiGe quantum wells on SOI
Buried - channel field effect transistors of triple SiGe quantum wells on SOI
复制标题
SOI上三SiGe量子阱埋沟道场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Fujinaga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Tanaka;M.Akazawa;E.Sano;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga
