Experimental-Study of the Gap-Si Interface

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间隙硅界面的实验研究

DOI：
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发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Margaritondo
G. Margaritondo
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
P. Perfetti;F. Patella;F. Sette;C. Quaresima;C. Capasso;A. Savoia;G. Margaritondo

文献摘要

被引文献

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注：威斯康星大学，物理系，麦迪逊，威斯康星州53706。ist nazl fis nucl，lab nazl frascati，grp nazl struttura mat，frascati，意大利.ISI文件交付编号：TM 473参考LSE-ARTICLE-1984- 016 doi：10.1103/PhysRevB.30.4533记录创建于2006年10月3日，修改于2017年5月12日
Note: Univ wisconsin,dept phys,madison,wi 53706. ist nazl fis nucl,lab nazl frascati,grp nazl struttura mat,frascati,italy.ISI Document Delivery No.: TM473 Reference LSE-ARTICLE-1984-016doi:10.1103/PhysRevB.30.4533 Record created on 2006-10-03, modified on 2017-05-12