Numerical analysis of band tailing and electron transport near conduction band edge in doped Si nanowires
Numerical analysis of band tailing and electron transport near conduction band edge in doped Si nanowires
复制标题
掺杂硅纳米线中带尾和导带边缘附近电子输运的数值分析
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Tanaka and K. Uchida
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Terumitsu Tanaka;Shota Kashiwagi;Yasushi Kanai and Kimihide Matsuyama;T. Tanaka and K. Uchida
