New quaternary narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4 with a wurtzite-derived Structure
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具有纤锌矿结构的新型四元窄带隙氧化物半导体 Cu2ZnGeO4
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Omata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kita;I. Suzuki;H. Nagatani;Y. Mizuno;M. Inoue;T. Omata
