Dietmar Schlenker: "Critical layer thickness of 1.2-μm highly strained GaInAs/GaAs quantum wells"J.Crystal Growth. 221. 503-508 (2000)
Dietmar Schlenker: "Critical layer thickness of 1.2-μm highly strained GaInAs/GaAs quantum wells"J.Crystal Growth. 221. 503-508 (2000)
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Dietmar Schlenker：“1.2μm 高应变 GaInAs/GaAs 量子阱的临界层厚度”J.Crystal Growth。221. 503-508 (2000)。
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