中空構造 SOI 層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFT と論理回路の作製
中空構造 SOI 層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFT と論理回路の作製
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利用空心SOI层提高低温转移的转移良率并在柔性基板上制造单晶硅TFT和逻辑电路
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
東清一郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
水上 隆達;竹島真治;山下知徳;東清一郎
