Carrier lifetime and electron spin relaxation time in (110)-orieted Gas/AlGaAs quntum well micro-posts

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(110) 取向气体/AlGaAs 量子阱微柱中的载流子寿命和电子自旋弛豫时间

DOI:
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发表时间:
2010
期刊:
IEEE Photonics Technology Letters Vol.22
影响因子:
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通讯作者:
H.Kawaguchi
H.Kawaguchi
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
N.Yokota;K.Ikeda;Y.Nishiziki;S.Koh;H.Kawaguchi

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