ドープされたInAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による電場増強効果
ドープされたInAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による電場増強効果
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掺杂 InAs/GaAs 量子点中局域表面等离子体共振的电场增强效应
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
喜多隆
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川上瑞人;原田幸弘;朝日重雄;喜多隆
