Diagnostics of extreme-ultraviolet (EUV) light source plasmas for next generation semiconductor lithography
Diagnostics of extreme-ultraviolet (EUV) light source plasmas for next generation semiconductor lithography
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用于下一代半导体光刻的极紫外 (EUV) 光源等离子体的诊断
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Mizoguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Tomita;Y. Sato;S. Tsukiyama;R. Fukada;K. Uchino;T. Yanagida;H. Tomuro;K. Kouge;Y. Wada;M. Kunishima;T. Kodama;H. Mizoguchi
