6H-SiC(0001)基板上2H-AlN成長におけるGa先行照射によるlayer-by-layer成長の早期実現と貫通転位低減
6H-SiC(0001)基板上2H-AlN成長におけるGa先行照射によるlayer-by-layer成長の早期実現と貫通転位低減
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在 6H-SiC(0001) 衬底上生长 2H-AlN 时，通过预先 Ga 辐照，早期实现了逐层生长并减少了螺纹位错
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須田淳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
奥村宏典;木本恒暢;須田淳
