S.Fuchi: "Self-assembled InGaAs dots grown on GaP (001) substrate by low pressure organometallic vapor phase epitaxy."Physica. E. (印刷中). (2000)
S.Fuchi: "Self-assembled InGaAs dots grown on GaP (001) substrate by low pressure organometallic vapor phase epitaxy."Physica. E. (印刷中). (2000)
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S.Fuchi：“通过低压有机金属气相外延在 GaP (001) 衬底上生长的自组装 InGaAs 点”。E.（出版中）。
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