Three-dimensional topological insulators in the octahedron-decorated cubic lattice
Three-dimensional topological insulators in the octahedron-decorated cubic lattice
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八面体装饰立方晶格中的三维拓扑绝缘体
DOI：
10.1103/physrevb.84.075105
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发表时间：
2011-01
影响因子：
3.7
通讯作者：
Guo-Xiang Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jing-Min Hou;Wen-Xin Zhang;Guo-Xiang Wang
研究了八面体缀饰立方晶格中自旋轨道耦合的紧束缚模型。我们计算了晶格的能带结构并计算了Z_2拓扑指数。根据Z_2拓扑指数和能带结构，给出了不同填充率的相图。我们发现在一定的参数范围内，当填充分数为1/6，1/2和2/3时，强拓扑绝缘体（1;111）和强拓扑绝缘体（1;000）出现.此外，$（0;111）$弱拓扑绝缘体被发现在1/6和2/3填充分数。我们分析和讨论了这些拓扑绝缘体的特性及其表面态。
We investigate a tight-binding model of the octahedron-decorated cubic lattice with spin-orbit coupling. We calculate the band structure of the lattice and evaluate the Z_2 topological indices. According to the Z_2 topological indices and the band structure, we present the phase diagrams of the lattice with different filling fractions. We find that the $(1;111)$ and $(1;000)$ strong topological insulators occur in some range of parameters at 1/6, 1/2 and 2/3 filling fractions. Additionally, the $(0;111)$ weak topological insulator is found at 1/6 and 2/3 filing fractions. We analyze and discuss the characteristics of these topological insulators and their surfaces states.
DOI：
10.1136/ebmh.11.4.102
发表时间：
2008-10
期刊：
Evidence Based Mental Health
影响因子：
--
作者：
P. Cochat;L. Vaucoret;J. Sarles
通讯作者：
P. Cochat;L. Vaucoret;J. Sarles