高濃度ドープしたSi単電子トランジスタを使ったXOR回路の室温動作
高濃度ドープしたSi単電子トランジスタを使ったXOR回路の室温動作
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使用重掺杂硅单电子晶体管的 XOR 电路的室温操作
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大倉 健作
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田中憲光;高橋応明;伊藤公一;山本伸一;三浦 周;他;大倉 健作;大倉 健作
