OPTICAL-PROPERTIES OF INTRINSIC SILICON AT 300 K
OPTICAL-PROPERTIES OF INTRINSIC SILICON AT 300 K
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DOI：
10.1002/pip.4670030303
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发表时间：
1995-05-01
影响因子：
6.7
通讯作者：
KEEVERS, MJ
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
GREEN, MA;KEEVERS, MJ
本征硅的光学性质的太阳能电池计算的更新表格。在0.25-1.45 μ m波长范围内以0.01 μ m的间隔列出了300 K时的吸收系数、折射率和消光系数。
An updated tabulation is presented of the optical properties of intrinsic silicon relevant to solar cell calculations. The absorption coefficient, refractive index and extinction coefficient at 300 K are tabulated over the 0.25-1.45 mu m wavelength range at 0.01 mu m intervals.